被中國存儲快逼到絕境，日本意圖以400層刻蝕技術(shù)反超 天天新消息

在中國存儲芯片企業(yè)以最高232層NAND flash搶占市場(chǎng)，同時(shí)以猛烈的價(jià)格戰壓得三星、美光舉白旗的時(shí)候，日前消息指日本刻蝕機企業(yè)東京電子突然宣布已研發(fā)成功400層NAND flash系統，希望借這些技術(shù)扭轉劣勢。

中國的存儲芯片企業(yè)起家于2016年，為了建立自主的技術(shù)，中國存儲芯片企業(yè)從最低層的32層NAND flash技術(shù)開(kāi)始發(fā)展，到了2020年研發(fā)成功128層NAND flash存儲芯片技術(shù)，追上了全球主流技術(shù)水平。

(資料圖)

2022年中國的存儲芯片企業(yè)二期工程量產(chǎn)，存儲芯片產(chǎn)能將翻2兩倍，同時(shí)存儲芯片技術(shù)也率先量產(chǎn)232層NAND flash，技術(shù)和產(chǎn)能的提升快速降低了成本，中國存儲芯片由此開(kāi)始依靠低成本優(yōu)勢大舉搶占市場(chǎng)。

恰在那個(gè)時(shí)候全球芯片行業(yè)出現供給過(guò)剩，芯片價(jià)格急跌，中國存儲芯片不怕芯片下行周期，反而逆周期擴張，給韓國、日本和美國的存儲芯片帶來(lái)巨大的壓力。2022年底以來(lái)，韓國的三星、美國的美光一度跟進(jìn)價(jià)格戰，頑強抵御中國存儲芯片的競爭。

但是到了今年一季度，美光先頂不住了，因美光該季度的營(yíng)收只有40億美元卻虧損了23億美元，率先表示不再降價(jià)；三星隨后也表示不會(huì )再降價(jià)，同時(shí)由于庫存激增至3400億元，減產(chǎn)，而在以往三星可是最喜歡逆周期擴張的，可見(jiàn)這場(chǎng)價(jià)格戰的猛烈。

這次東京電子宣布研發(fā)成功400層NAND flash刻蝕系統，將有助于美日韓的存儲芯片企業(yè)扳回技術(shù)劣勢，同時(shí)依靠更先進(jìn)的技術(shù)也能進(jìn)一步降低成本，這成為它們避免在存儲芯片行業(yè)繼續沉淪的希望。

由于眾所周知的原因，東京電子等日本芯片設備企業(yè)生產(chǎn)的23種芯片設備都不能對中國出售，中國存儲芯片這次恐怕無(wú)法快速提升存儲芯片的技術(shù)，很可能在未來(lái)數年時(shí)間都將落后于美日韓存儲芯片，讓它們獲得喘息之機。

不過(guò)在存儲芯片行業(yè)，中國的芯片設備則有一定的優(yōu)勢，中國的刻蝕機企業(yè)已研發(fā)成功5納米刻蝕機，在諸多芯片設備當中追上了全球主流技術(shù)水準，如此美日韓存儲芯片行業(yè)先進(jìn)的刻蝕技術(shù)應不會(huì )保持太長(cháng)時(shí)間。

同時(shí)中國是全球最大的芯片市場(chǎng)，目前國產(chǎn)存儲芯片占有的市場(chǎng)份額不過(guò)5%左右，即使僅是占領(lǐng)國內市場(chǎng)也還有數倍的增長(cháng)空間，這都可以為國產(chǎn)存儲芯片提供發(fā)展的沃土，以及緩沖的機會(huì )，美日韓存儲芯片將無(wú)法依靠先進(jìn)的技術(shù)壓制中國存儲芯片。

中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展讓海外吃驚，也讓他們看到中國芯片的巨大潛力，短短數年時(shí)間就從零起步到趕上主流技術(shù)水平，說(shuō)明只要中國芯片行業(yè)共同努力，其他芯片技術(shù)跟上全球主流水平有很大希望，日本暫時(shí)的技術(shù)優(yōu)勢只會(huì )刺激中國存儲芯片加快技術(shù)發(fā)展，盡快跟上它們的腳步。

原文標題 : 被中國存儲快逼到絕境，日本意圖以400層刻蝕技術(shù)反超

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